Κίνα Ηλεκτρονικό τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος κατασκευαστής

Καλύτερη υπηρεσία, καλύτερο τσιπ

Μεγαλύτερη μιας στάσης προμήθεια της Κίνας των συστατικών

Greek
Ζητήστε ένα απόσπασμα
Προϊόντα

IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET

IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET
IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET
Βασικές πληροφορίες
Μάρκα: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Αριθμό μοντέλου: IRF1404ZPBF
Ποσότητα παραγγελίας min: 1 κομμάτι
Χρόνος παράδοσης: 2~8 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής: T/T
Καλύτερη τιμή Επικοινωνήστε
Εμπορικό σήμα: Τεχνολογίες Infineon/διεθνής διορθωτής IOR Πιστοποιητικό: /
Πρότυπο: IRF1404ZPBF MOQ: 1 PC
Τιμή: Negotiated Παράδοση: 2~8 εργάσιμες ημέρες
Πληρωμή: T/T
Υψηλό φως:

200W κρυσταλλολυχνία καναλιών Ν

,

180A κρυσταλλολυχνία καναλιών Ν

,

IRF1404ZPBF

Περιγραφή προϊόντων

IRF1404ZPBF MOSFET FET κρυσταλλολυχνιών 180A 200W HEXFET καναλιών Ν

 

IRF1404ZPBF N-Channel 180A 200W κρυσταλλολυχνιών μέσω MOSFETs FET τρυπών -220AB HEXFET

 

N-Channel 180A (TC) 200W (TC) Μέσω της προδιαγραφής τρυπών -220AB:

Κατηγορία
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
　
Κρυσταλλολυχνίες - FET, MOSFETs - ενιαία
Mfr
Τεχνολογίες Infineon
Σειρά
HEXFET®
Συσκευασία
Σωλήνας
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss)
40 Β
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C
180A (TC)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω)
10V
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs
3.7mOhm @ 75A, 10V
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @
4V @ 250µA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs
nC 150 @ 10 Β
Vgs (Max)
±20V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds
4340 pF @ 25 Β
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET
-
Διασκεδασμός δύναμης (Max)
200W (TC)
Λειτουργούσα θερμοκρασία
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος
Μέσω της τρύπας
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών
-220AB
Συσκευασία/περίπτωση
-220-3
Αριθμός προϊόντων βάσεων
IRF1404

 

Περιγραφή

Αυτό το MOSFET δύναμης HEXFET® χρησιμοποιεί τις πιό πρόσφατες τεχνικές επεξεργασίας που επιτυγχάνουν εξαιρετικά - χαμηλή -αντίσταση ανά περιοχή πυριτίου.

Τα πρόσθετα χαρακτηριστικά γνωρίσματα αυτού του προϊόντος είναι μια λειτουργούσα θερμοκρασία συνδέσεων 175°C, μια γρήγορη ταχύτητα μετατροπής και μια βελτιωμένη επαναλαμβανόμενη εκτίμηση χιονοστιβάδων. Αυτά τα χαρακτηριστικά γνωρίσματα συνδυάζουν να κάνουν αυτό το σχέδιο μια εξαιρετικά αποδοτική και αξιόπιστη συσκευή για τη χρήση σε μια ευρεία ποικιλία των εφαρμογών.

ετικέτα:

H30R1602 ιδιαίτερες συσκευές ημιαγωγών,

IRFB4310PBF,

Ιδιαίτερες συσκευές ημιαγωγών δύναμης IGBT

Στοιχεία επικοινωνίας
Περισσότεροι Ιδιαίτερες συσκευές ημιαγωγών
Κίνα καλός ποιότητας Ηλεκτρονικό τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος προμηθευτής. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.