Κίνα Ηλεκτρονικό τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος κατασκευαστής

Καλύτερη υπηρεσία, καλύτερο τσιπ

Μεγαλύτερη μιας στάσης προμήθεια της Κίνας των συστατικών

Greek
Ζητήστε ένα απόσπασμα
Προϊόντα

ιδιαίτερες συσκευές 06N90E FMV06N90E FMH06N90E ημιαγωγών 900V 6A

900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E
900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E 900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E 900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E 900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E 900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E 900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E
Βασικές πληροφορίες
Μάρκα: INFINEON
Αριθμό μοντέλου: IRF1404PBF IRF1404ZPBF
Ποσότητα παραγγελίας min: 1 κομμάτι
Χρόνος παράδοσης: 2~8 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής: T/T
Καλύτερη τιμή Επικοινωνήστε
Εμπορικό σήμα: Infineon Πιστοποιητικό: /
Πρότυπο: IRF1404PBF IRF1404ZPBF MOQ: 1 PC
Τιμή: Negotiated Παράδοση: 2~8 εργάσιμες ημέρες
Πληρωμή: T/T
Υψηλό φως:

06N90E ιδιαίτερες συσκευές ημιαγωγών

,

FMV06N90E ιδιαίτερες συσκευές ημιαγωγών

,

FMH06N90E

Περιγραφή προϊόντων

 

Ιδιαίτεροι ημιαγωγοί 900V 6A 06N90E FMV06N90E FMH06N90E

 

N-Channel IRF1404 IRF1404PBF IRF1404Z IRF1404ZPBF 40V ενιαίο MOSFET δύναμης σε μια συσκευασία -220

Περίπου IRF1404PBF:

 

Περίληψη των χαρακτηριστικών γνωρισμάτων
N-Channel IRF1404 40V ενιαίο MOSFET δύναμης σε μια συσκευασία -220
Επίπεδη δομή κυττάρων για ευρύ SOA
Βελτιστοποιημένος για την ευρύτερη διαθεσιμότητα από τους συνεργάτες διανομής
Προσόντα προϊόντων σύμφωνα με τα πρότυπα JEDEC
Συσκευασία δύναμης επιφάνεια-υποστηριγμάτων βιομηχανικά τυποποιημένων
Υψηλής τάσης εκτίμηση

 

Οφέλη:

Αυξανόμενη τραχύτητα
Multi-vendor συμβατότητα
Επίπεδο προσόντων βιομηχανικά τυποποιημένων
Τα πρότυπα pinout επιτρέπουν την πτώση στην αντικατάσταση
Υψηλής τάσης ικανότητα μεταφοράς

Τεχνικές προδιαγραφές προϊόντων

Parametrics IRF1404
Ταυτότητα (@25°C) ανώτατη 202 Α
Μοντάρισμα THT
Ptot ανώτατο 200 W
Συσκευασία -220
Πολικότητα Ν
QG (τύπος @10V) nC 131
Qgd nC 42
RDS (επάνω) (@10V) ανώτατο 4 mΩ
RthJC ανώτατο 0,75 K/W
Ιδιαίτερα χαρακτηριστικά Ευρύ SOA
Tj ανώτατο 175 °C
VDS ανώτατο 40 Β
VGS (θόριο) λ. ανώτατο 3 Β 2 Β 4 Β
VGS ανώτατο 20 Β

 

ετικέτα:

H30R1602 ιδιαίτερες συσκευές ημιαγωγών,

IRFB4310PBF,

Ιδιαίτερες συσκευές ημιαγωγών δύναμης IGBT

Στοιχεία επικοινωνίας
Περισσότεροι Ιδιαίτερες συσκευές ημιαγωγών
Κίνα καλός ποιότητας Ηλεκτρονικό τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος προμηθευτής. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.