Κίνα Ηλεκτρονικό τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος κατασκευαστής

Καλύτερη υπηρεσία, καλύτερο τσιπ

Μεγαλύτερη μιας στάσης προμήθεια της Κίνας των συστατικών

Greek
Ζητήστε ένα απόσπασμα
Προϊόντα

Ιδιαίτερα Mosfets δύναμης συσκευών SIHF10N40D-E3 ημιαγωγών κρυσταλλολυχνιών καναλιών Ν

N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets
N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets
Βασικές πληροφορίες
Μάρκα: Vishay Semiconductor
Αριθμό μοντέλου: SIHF10N40D-E3
Ποσότητα παραγγελίας min: 1 κομμάτι
Χρόνος παράδοσης: 2~8 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής: T/T
Καλύτερη τιμή Επικοινωνήστε
Εμπορικό σήμα: Ημιαγωγός Vishay Πιστοποιητικό: /
Πρότυπο: SIHF10N40D-E3 MOQ: 1 PC
Τιμή: Negotiated Παράδοση: 2~8 εργάσιμες ημέρες
Πληρωμή: T/T
Υψηλό φως:

Ιδιαίτερες συσκευές ημιαγωγών καναλιών Ν

,

EAR99 ιδιαίτερες συσκευές ημιαγωγών

,

SIHF10N40D-E3

Τεχνικές προδιαγραφές προϊόντων

Ιδιαίτερα Mosfets δύναμης ημιαγωγών SIHF10N40D-E3 κρυσταλλολυχνιών καναλιών Ν

 

 

ΕΕ RoHS Υποχωρητικός
ECCN (ηε) EAR99
Θέση μερών Ενεργός
HTS 8541.29.00.95
Αυτοκίνητος Αριθ.
PPAP Αριθ.
Κατηγορία προϊόντων MOSFET δύναμης
Διαμόρφωση Ενιαίος
Τρόπος καναλιών Αύξηση
Τύπος καναλιών Ν
Αριθμός στοιχείων ανά τσιπ 1
Μέγιστη τάση πηγής αγωγών (β) 400
Μέγιστη τάση πηγής πυλών (β) ±30
Μέγιστη τάση κατώτατων ορίων πυλών (β) 5
Μέγιστος συνεχής αγωγός τρέχον (α) 10
Μέγιστο ρεύμα διαρροής πηγής πυλών (NA) 100
Μέγιστο IDSS (UA) 1
Μέγιστη αντίσταση πηγής αγωγών (MOhm) το 600@10V
Χαρακτηριστική δαπάνη @ Vgs πυλών (nC) το 15@10V
Χαρακτηριστική δαπάνη @ 10V πυλών (nC) 15
Χαρακτηριστική ικανότητα @ Vds εισαγωγής (pF) το 526@100V
Μέγιστος διασκεδασμός δύναμης (MW) 33000
Χαρακτηριστικός χρόνος πτώσης (NS) 14
Χαρακτηριστικός χρόνος ανόδου (NS) 18
Χαρακτηριστικός χρόνος καθυστέρησης διακοπών (NS) 18
Χαρακτηριστικός διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης (NS) 12
Ελάχιστη λειτουργούσα θερμοκρασία (°C) -55
Μέγιστη λειτουργούσα θερμοκρασία (°C) 150
Συσκευασία προμηθευτών -220FP
Αρίθμηση καρφιτσών 3
Όνομα τυποποιημένης συσκευασίας -220
Μοντάρισμα Μέσω της τρύπας
Ύψος συσκευασίας 16.12 (Max)
Μήκος συσκευασίας 10.63 (Max)
Πλάτος συσκευασίας 4.83 (Max)
PCB που αλλάζουν 3
Ετικέττα Ετικέττα
Μορφή μολύβδου Μέσω της τρύπας
Αριθμός μερών SIHF10N40D-E3
Αριθμός μερών βάσεων SIHF10N40
ΕΕ RoHS Υποχωρητικός με την απαλλαγή
ECCN (ηε) EAR99
Θέση μερών Ενεργός
HTS 8541.29.00.95
 

ετικέτα:

H30R1602 ιδιαίτερες συσκευές ημιαγωγών,

IRFB4310PBF,

Ιδιαίτερες συσκευές ημιαγωγών δύναμης IGBT

Στοιχεία επικοινωνίας
Περισσότεροι Ιδιαίτερες συσκευές ημιαγωγών
Κίνα καλός ποιότητας Ηλεκτρονικό τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος προμηθευτής. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.