Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος ηλεκτρονικών τμημάτων I2C MDIO SMbus BOM 8 μπιτ TXS0108ENMER Texas Instruments

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα για το TXS0108E

• Κανένα σήμα κατεύθυνση-ελέγχου που απαιτείται
• Μέγιστα ποσοστά στοιχείων
  • 110 Mbps (αντιφατικό)
  • 1.2 Mbps (ανοικτός αγωγός)
• 1.4 Β σε 3,6 Β στο λιμένα Α και 1,65 Β σε 5,5 Β στο λιμένα Β (VCCA ≤ VCCB)
• Καμία αλληλοuχία δύναμη-ανεφοδιασμού που απαιτείται – είτε VCCA είτε VCCB μπορεί να είναι ramped πρώτα
• Σύρτης-επάνω στην απόδοση υπερβαίνει 100 μΑ ανά
  JESD 78, κατηγορία ΙΙ
• Η προστασία ESD υπερβαίνει JESD 22 (ένας λιμένας)
  • 2000-β ανθρώπινο σώμα πρότυπο (a114-β)
  • 150-β μηχανή πρότυπη (a115-α)
  • 1000-β charged-συσκευή πρότυπη (C101)
• IEC 61000-4-2 ESD (ΛΙΜΈΝΑΣ Β)
  • ±8 kV απαλλαγή επαφών
  • ±6 kV απαλλαγή κενών αέρος

Περιγραφή για το TXS0108E

Αυτή η συσκευή είναι οκτάμπιτος μη-αναστρέφοντας μεταφραστής επιπέδων που χρησιμοποιεί δύο separateconfigurable ράγες δύναμη-ανεφοδιασμού. Ο λιμένας Α ακολουθεί το supplyvoltage καρφιτσών VCCA. Η καρφίτσα VCCA δέχεται οποιαδήποτε τάση V. between1.4 Β και 3,6 ανεφοδιασμού. Η τάση ανεφοδιασμού καρφιτσών λιμένων tracksthe VCCB Β. Η καρφίτσα VCCB δέχεται anysupply την τάση μεταξύ 1,65 Β και 5,5 V. Δύο εισαγμένες καρφίτσες ανεφοδιασμού επιτρέπουν το bidirectionaltranslation χαμηλής τάσης μεταξύ οποιωνδήποτε από τα 1,5 Β, 1,8 Β, 2,5 Β, 3,3 Β, και 5 κόμβων τάσης Β.

Όταν παραγωγή-επιτρέψτε (OE) εισαγμένος είναι χαμηλός, όλα τα αποτελέσματα τοποθετούνται στο κράτος υψηλός-σύνθετης αντίστασης (γεια-ζ).

Για να εξασφαλίσετε το κράτος γεια-ζ κατά τη διάρκεια δύναμη-επάνω ή δύναμη-κατεβάστε τις περιόδους, δεσμός OE GND μέσω του apull-κάτω αντιστάτη. Η ελάχιστη αξία του αντιστάτη καθορίζεται από το τρέχων-sourcingcapability του οδηγού.